プログラム概要 - EIDEC

プログラム概要

液中ナノ粒子ナノバブル対応計測基盤技術開発

液体材料中のナノ粒子(パーティクル)とバブル(気泡)は半導体製造プロセスにおける大きな課題の一つです。市販の通液タイプ(インライン方式)の液中パーティクル測定装置では液中のパーティクルと気泡を分離して計測できません。本プログラムでは新しい液中の10nmサイズレベルのパーティクルと気泡を分離計測できる測定装置の開発、及びパーティクルと気泡を分離計測するための新しい標準検査方法を開発します。(産総研共同)

DSA精密評価計測基盤技術開発

DSA(誘導自己組織化)材料・プロセスの精密評価計測基盤技術開発に取り組みます。特に、ガイドパターンやDSA相分離パターンのラフネス、位置ずれ、欠陥などの高速かつ高精度な評価計測手法を開発し、シングルナノレベルのシリコン半導体量産を低コストで実現できるDSA技術の実用化を目指します。

レジスト材料評価計測基盤技術開発

新規コンセプトに基づくメタル系レジスト材料を用いて、先端ナノ計測技術の評価・検証を行います。さらに、得られた結果を活用し、レジスト反応機構の解析を行います。また、EUV露光装置を用いて、レジストのパターニング特性との相関取りも実施します。これらにより、メタル系レジスト材料の開発期間の大幅短縮を目指します。

レジストアウトガス評価計測基盤技術開発

シングルナノパターニング材料の有力候補である様々な次世代EUVレジストから発生するアウトガスを高精度で評価・計測するための基盤技術開発を行います。また、得られた知見を材料設計にフィードバックすることで、次世代レジストの材料開発に寄与します。

ナノ欠陥検査用標準技術開発

将来世代の欠陥検査装置の検査感度を評価・校正できるような各種欠陥を作りこんだ検査標準試料を作製し観察・測定を行うことにより、欠陥検査のための計測標準技術を開発します。