EUVレジスト アウトガスコントロール プログラム - EIDEC
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EUV Resist Out-gassing Control Program

EUVレジスト アウトガスコントロール プログラム

EUVリソグラフィにおける主要課題の1つに、レジストが露光された際に真空露光チャンバー内に発生するガス(レジストアウトガス)の成分が、露光光による光化学反応によって投影ミラーやマスク表面に再堆積して汚染(コンタミネーション)し、反射率や解像力の低下を引き起こしてしまう問題があります。本プログラムでは、第一にこの問題を引き起こさないためのレジストアウトガスの合否基準を明確にし、レジスト材料開発並びに露光装置管理の指針を示します。露光装置メーカー主導で開発が進んでおり、EUV光に比べて評価時間の観点で有望視されている電子ビームをプローブとして用いる手法をベースに開発を進めます。またキーとなる高精度成分分析、定量手法については、MIRAI-Seleteでの成果を元に更に完成度を高めます。さらに、実露光条件に近い高輝度EUV光でのアウトガス、コンタミネーションとの比較相関を把握することで、精度の高い合否基準を作成します。

EUVレジスト アウトガスコントロール プログラム

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