ごあいさつ - EIDEC
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ごあいさつ

EIDECは、次世代の半導体リソグラフィ技術として期待されているEUV(極端紫外線)露光システムに必要な、マスク基板(ブランクス)やマスクパターンの欠陥検査・評価技術、及びレジストの材料技術など、ハーフピッチ10nm台に対応可能な技術の確立を目的として2011年に設立されました。2013年4月からは、DSA(自己組織化)技術との組み合わせでサブ10nmを可能にするための開発を開始し、EUV露光システムの早期実用化のための開発に注力してまいりました。

世界的連携開発体制をベースにした新しいタイプの国家プロジェクトを遂行する際、経済産業省、国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)と国立研究開発法人 産業技術総合研究所より強力なご支援をいただき、2016年3月、5ヶ年に及んだプロジェクトを成功裏に修了することができました。

また、国内の有力な半導体デバイスメーカー、マスク関連メーカー、レジスト関連メーカー、および半導体製造装置メーカーによる出資のもと、海外の先進半導体メーカー、レジストメーカーについては、共同開発パートナーとしてご協力をいただきながら、関連するサプライヤー、大学、装置メーカーとの共同研究を進め、所期の目標を達成することが出来ました。

この輝かしい成果も、関係先の皆さまのご協力ご支援無くしては達成できませんでした。この場を借りて厚く御礼申し上げる次第です。

今後は、EUV露光分野に限ることなく、広く次世代のデバイスプラットフォームを支える民間コンソーシアムとして、関係機関と緊密に連携しながら更なる高みに挑戦していく所存であります。引続き皆様方の強力なご支援を賜りたく、心よりお願い申し上げます。

(株)EUVL基盤開発センター(EIDEC)
取締役会長 齋藤昇三
代表取締役社長 石内秀美
取締役 林直也